依照主资料的 Loop 顺序，沿一只 NMOS 剖面拆解从 AA / STI 到多层铜互连的 56 个精细步骤。
前段按 AA/STI、Well、GOX/Gate、LDD、Spacer、S/D、SAB 与 ILD Loop 形成器件；中段用 CT 钨栓把器件引出；后段把 M1 沟槽、阻挡层与籽晶、电镀铜、CMP、盖帽层及 Intermediate AIO 双镶嵌逐步展开。剖面随进度累积，本步新增或移除的结构按工艺动作颜色描边：成膜为青色、光刻 / 刻蚀为红色。
这条路径按主资料的 Loop 与 M1 / Intermediate 顺序整理，并用第三篇补充资料展开阻挡层、籽晶、电镀、CMP 与双镶嵌循环，并以一只 NMOS 剖面压缩呈现。量产流程会按器件、电压与设计规则展开更多光刻、注入和金属层分支。
流程顺序与关键参数以前段、后段两篇为主，前三篇系列文章仅作解释与剖面补充。文中 A 表示 Å（埃）。膜厚、材料组合与热预算随平台和器件选项变化；页面用于理解工艺整合逻辑，不构成量产配方。